Spoločnosť Samsung dnes oznámila spustenie masovej výroby prvej tzv. 3D vertikálnej NAND flash pamäte, V-NAND. 3D flash sa odlišuje od doterajšej NAND flash pamäte použitím 3D štruktúr priamo v jednej vrstve pamäťových buniek ale tiež možnosťou spojiť viacero vrstiev pamäťových buniek uložených vertikálne na sebe. To umožňuje zvyšovať hustotu uložených dát na jednotku plochy a vytvárať tak čipy a moduly s vyššou kapacitou. 3D flash Samsungu používa technológiu CTF, Charge Trap Flash, uchovávajúcu náboj dočasne v nevodivej časti bunky z nitridu kremíka, čo znižuje nežiadúcu interakciu susedných buniek. Vďaka novej architektúre sa oproti doterajšej flash podľa Samsungu zlepšujú aj parametre pamäte. Oproti klasickej flash pamäti vyrábanej 10 až 19 nm výrobným procesom sa má spoľahlivosť zvýšiť dva až desaťkrát a rýchlosť zápisu dvakrát. Nové vyrábané čipy majú kapacitu 128 gigabitov, teda 16 gigabajtov. Či už Samsung v tomto čipe využíva viac vrstiev pamäťových buniek respektíve koľko vrstiev využíva spoločnosť neinformovala. Technológia umožňuje použitie maximálne 24 vrstiev.
Samsung začal vyrábať 3D flash pamäť
